[发明专利]具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202111490774.3 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114242592A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件，将超级结与屏蔽栅相结合，在衬底中包含有沟槽，沟槽中位于下半部分的屏蔽栅以及位于上半部分的栅极，衬底表层具有体区和所述功率器件的源区，在漂移区中具有超级结结构，所述超级结结构的P柱为悬浮状态，其与沟槽之间错开，以增大P柱与沟槽之间的漂移区宽度。通过屏蔽栅的RESURF效应和柱状薄层的电荷耦合效应，降低栅漏电容Cgd，将器件的击穿电压BV最大化，并通过漂移区电阻率的降低来降低器件导通电阻。本发明还公开了具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件的工艺方法，悬浮型的P柱采用多次的高能离子注入形成，P柱注入所用的掩膜版可与器件体区引出区的注入掩膜版共享，不需要制作额外的掩膜版。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超级 屏蔽 沟槽 功率 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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