[发明专利]一种具有二维电子气的单晶薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111490995.0 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114197048A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 乔梁;赵燕;冷华倩;丁翔;徐明辉 申请(专利权)人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B23/02
代理公司: 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 代理人: 李英
地址: 313000 浙江省湖州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种具有二维电子气的单晶薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将氧化镧和氧化钛前驱体粉末均匀混合后研磨,并用压片机压靶,在马弗炉中高温烧结后得到LaTiO3靶材;(2)清洗并刻蚀SrTiO3基片;(3)将LaTiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统,在合适的条件下生长LaTiO3单晶薄膜;(4)在真空环境下,获得不同温度下的相同厚度的LaTiO3薄膜;(5)控制不同的氧压,在薄膜生长时能达到的真空度从高真空降到低真空,每隔一个数量级生长一个薄膜,制得不同氧压下的LaTiO3薄膜。本发明通过曲线可以看出薄膜与STO界面之间都存在二维电子气,使薄膜表现出金属性。
搜索关键词: 一种 具有 二维 电子 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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