[发明专利]一种基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明属于电子器件技术领域，公开了一种基于混维Sn‑CdS/碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器的结构为电极/Sn‑CdS/MoTe2异质结/电极；所述Sn‑CdS/MoTe2异质结中Sn‑CdS为Sn掺杂CdS纳米线，MoTe2为纳米片；Sn‑CdS/MoTe2异质结不与电极接触。该基于混维Sn‑CdS/MoTe2异质结的光电探测器具有优越的吸光能力与载流子传输能力。该光电探测器在325～808nm波长内具有较高的响应率(400～600mA/W)和探测率(1012～1013Jones)。本发明的工艺简单易操作，为基于混维半导体材料异质结的高性能光电探测器的研究提供了思路。