[发明专利]一种晶硅表面电池的碱抛光方法

摘要

本发明公开了一种晶硅表面电池的碱抛光方法，属于晶硅处理技术领域，具体涉及将多晶硅片进行清洗处理得到处理后的多晶硅片，多晶硅片上无二氧化硅氧化层；将处理后的多晶硅片于抛光液中处理得到了抛光后的多晶硅片；抛光液中含有四甲基氢氧化铵、异丙醇和三嗪衍生物，三嗪衍生物为三聚氯氰上的氯被至少一个L‑半胱氨酸取代的取代物的混合物。经本发明碱抛光液抛光后的多晶硅片的抛光面的反射率提高，反射率提高了6‑15%；包覆氧化铝钝化膜的电池片的少子寿命提高，少子寿命提高了30‑60%；包覆氧化铝钝化膜的电池片的转换效率，转换效率提高了0.1‑0.7%。