[发明专利]超结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111495332.8 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN116314247A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安;曾大杰;干超 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，超结器件的位于有源区中的结构包括：平面栅结构，形成在各第一导电类型柱的顶部，原胞中的平面栅结构呈分栅结构；第二阱区，由以平面栅结构的第一侧面为自对准条件的第二导电类型的离子注入区经过退火处理后组成；第二阱区在退火处理的作用下横向扩散到平面栅结构的底部区域；沟道区由被平面栅结构覆盖第二阱区组成，第二阱区和平面栅结构之间的自对准结构用于提高器件的一致性。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的一致性，还能降低Cgd。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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