[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111495382.6 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN113903792A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/417;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底；沟道区和漂移区，位于所述衬底内；源区和漏区，分别位于所述沟道区和所述漂移区内；栅极结构，位于所述源区和所述漏区之间的所述衬底上；场板，位于所述漂移区的部分表面上，且所述栅极多晶硅覆盖所述场板的部分宽度；层间介质层，具有贯穿的源极插塞、转移插塞和漏极插塞，分别与所述源区、所述场板和所述漏区电性连接；金属布线层，包括第一金属图案和第二金属图案，所述第一金属图案与所述源极插塞和所述转移插塞电性连接，所述第二金属图案与所述漏极插塞电性连接。本发明能够提高半导体器件的耐压，且不会形成较大的导通电阻，从而提高半导体器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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