[发明专利]封装结构及制作方法在审
| 申请号： | 202111496539.7 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114334946A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;刘硕;杨丹凤;周青云;徐晨;何晨烨 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 常伟 |
| 地址： | 214430 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种封装结构及制作方法，包括：电性连接的下部封装体和上部封装体；下部封装体包括预制互联硅芯堆叠结构和围绕预制互联硅芯堆叠结构周边的第一塑封层；预制互联硅芯堆叠结构包括硅互联层，硅互联层包括相背的第一表面和第二表面；第一表面上层叠后道重布线堆叠层和第一预制重布线堆叠层，后道重布线堆叠层和第一预制重布线堆叠层电性连接；第二表面上设置钝化层；硅互联层包括硅基板和嵌设于硅基板内的若干硅通孔中的若干第一预制导通柱，每一第一预制导通柱包括相对的第一端和第二端，第一端自第一表面露出，且第二端自钝化层远离第二表面的一侧露出；上部封装体设置于第一预制重布线堆叠层上方，且与第一预制重布线堆叠层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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