[发明专利]一种肖特基型沟槽MOS管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111496704.9 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114171583A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 吴雷;陈白杨;李健 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/812;H01L21/338 |
| 代理公司： | 无锡市观知成专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 32591 | 代理人： | 任月娜 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基型沟槽MOS管及其制备方法，该沟槽MOS管的结构包括：半导体基板，半导体基板在第一主面上设置有至少两个斜沟槽，斜沟槽的内壁上及其沿口周围均设置有绝缘栅氧化层，斜沟槽内设置有导电多晶硅；在斜沟槽外围的第一主面下方设置有高掺杂浓度第一导电类型注入层，在高掺杂浓度第一导电类型注入层与引线孔的外壁之间设置有高掺杂浓度第二导电类型注入层，在高掺杂浓度第一导电类型注入层的下方与斜沟槽的外壁之间设置有轻掺杂浓度第二导电类型注入层；在斜沟槽中的导电多晶硅的上方、以及斜沟槽沿口周围的第一主面上设置有绝缘介质层和第一金属层。本发明所述的制备方法使得肖特基型沟槽MOS管的设计制造更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基型 沟槽 mos 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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