[发明专利]一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法在审
| 申请号： | 202111497528.0 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114397047A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘军山;胡小光;吴梦希;黄健;项晓禹 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01L1/20 | 分类号： | G01L1/20 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 苗青;王海波 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法，属于微机电系统(MEMS)和微纳米加工技术领域。首先，选择两个相同的施主基片A、B，在施主基片A、B表面均沉积一层牺牲层。其次，在施主基片A的牺牲层表面沉积一层聚对二甲苯，并在聚对二甲苯表面通过光刻工艺制作金叉指电极结构。再次，在施主基片B的牺牲层表面旋涂一层聚二甲基硅氧烷，并在聚二甲基硅氧烷基表面通过喷涂工艺制作碳纳米管导电薄膜。最后，将金叉指电极结构对准碳纳米管导电薄膜贴合并放置在水中，溶解去除牺牲层PAA，得到超薄柔性压力传感器。本发明具有工艺简单、通用性好的特点，通用性好且制备过程柔和没有应力产生，不会破坏超薄柔性压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 牺牲 辅助 超薄 柔性 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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