[发明专利]一种CuI/ZTO异质结紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202111498278.2 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114242813B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;刘云泽;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;浙江大学温州研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0376;H01L31/109;H01L31/20 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CuI/ZTO异质结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器自下而上依次有ITO导电玻璃、ZnSnO(ZTO)层、CuI层，其中ITO导电玻璃和CuI层上制备有Au电极。其制备方法如下：先采用脉冲激光沉积(PLD)方法在ITO导电玻璃上制备ZTO薄膜，然后将配置好的CuI前驱体溶液旋涂在ZTO薄膜上，旋涂数次并退火，再用电子束蒸发在CuI和ITO表面镀上Au作为电极，完成紫外探测器的制备。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器能在零偏压下实现高开关比和高响应速度，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cui zto 异质结 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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