[发明专利]一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器有效
| 申请号： | 202111501669.5 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114203918B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 阴玥;齐浩博;张润寰 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H10K71/00 | 分类号： | H10K71/00;H10K30/10 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器，所述新型光电忆阻器自下而上依次包括：硅衬底、钨电极层、氧化锌层、聚乙烯基咔唑层和铝电极。本发明能够在传统PVK光电忆阻器的基础上，引入具有高稳定性和高电子迁移率的氧化锌功能层，以提高PVK光电忆阻器的稳定性和可重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pvk zno 结构 新型 光电 忆阻器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111501669.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
