[发明专利]一种侧蚀量可控的锗蚀刻液有效
| 申请号： | 202111503295.0 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114351143B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 尹印;陈小超;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;彭浩;冯凯;王书萍 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14;C23F1/30 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于蚀刻晶圆上的锗膜层，并控制光阻结构下方的侧蚀量，组成包括氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和高纯水。氧化剂将锗氧化，且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合溶解锗的氧化物的作用；粘度调节剂用于控制蚀刻液粘度，改善侧向钻蚀能力；锗膜层上方光阻对pH值非常敏感，pH调节剂可以避免pH过低时导致光阻剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧蚀量 可控 蚀刻 | ||
【主权项】：
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