[发明专利]半导体工艺设备及其加热装置在审
| 申请号： | 202111503640.0 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114188248A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王军帅;魏景峰;赵联波 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 高东 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体工艺设备及其加热装置，所公开的半导体工艺设备包括气源腔室和管路组件，管路组件与气源腔室连通，且位于气源腔室之外；所公开的加热装置包括壳体和加热组件，壳体用于与气源腔室围成封闭的加热腔室，管路组件设于加热腔室，加热组件设于加热腔室，且用于对加热腔室内的管路组件加热。上述方案可以解决管路组件由加热带包覆加热时，在加热带交接的地方容易出现裸露的间隙而造成管路组件内的气体冷凝而堵塞管路组件的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 及其 加热 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
