[发明专利]量子点-半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件在审

专利信息
申请号: 202111506283.3 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114188490A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 张迪;高阳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;C09K11/88;C09K11/70;C09K11/66;C09K11/56;C09K11/02
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种量子点‑半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件,属于量子点技术领域。该量子点‑半导体复合膜层包括多个量子点、以及由半导体阳离子和半导体阴离子形成的半导体填充材料;所述半导体阳离子或所述半导体阴离子与所述量子点的表面的阴离子或阳离子形成离子键,形成的所述半导体填充材料填充于相邻所述量子点之间的间隙内。本公开有助于提高量子点‑半导体复合膜层的致密性,改善膜层表面的不平整性,进而提升该膜层与下层功能层之间的界面接触质量,提升载流子的传输能力。
搜索关键词: 量子 半导体 复合 及其 制备 方法 发光 器件
【主权项】:
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