[发明专利]一种芯片硅前性能验证的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202111507098.6 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114239447A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 汤志 申请(专利权)人: 上海立可芯半导体科技有限公司
主分类号: G06F30/33 分类号: G06F30/33;G06F115/02
代理公司: 泰和泰律师事务所 51219 代理人: 谢执胜
地址: 200120 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种芯片硅前验证的装置和方法,在SoC芯片流片(TapeOut)之前,验证和评估目前SoC架构、各IP、以及DDR系统是否能满足SoC系统场景带宽和延时要求。本装置包括性能验证评估的平台装置和待测试的系统芯片RTL;性能验证评估平台装置,由各IP对应的BFM和性能指标统计模型,以及平台场景配置文件组成,BFM装置用于产生各IP在不同场景配置下的读写访存的行为;系统芯片RTL主要包括总线、DDR和功能模块,这些模块通过总线进行通信,总线结构用于IP交易的分发,DDR用于交易数据的仲裁、分发和存储。
搜索关键词: 一种 芯片 性能 验证 方法 装置
【主权项】:
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