[发明专利]高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 202111507113.7 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114242699A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吴静雯 | 申请（专利权）人： | 吴静雯 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人： | 罗华 |
| 地址： | 513042 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法，所述堆叠封装结构包括上双面覆铜板、下双面覆铜板、第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹、引脚和塑封体，第一芯片的集电极焊接在上双面覆铜板的内表面，第二芯片的集电极焊接在下双面覆铜板的内表面，第一铜夹的一端焊接在下双面覆铜板的内表面上，第一芯片的发射极焊接在第一铜夹的上表面上，第二芯片的发射极焊接在第一铜夹的下表面上。本申请基于现有产品结构进行创新优化，开发一种全新芯片对称结构，实现垂直对称性快速散热，具有性能更稳定、功率密度更大、散热性更好、可靠性更高、功耗更小的优点，产品体积更小、物料使用更少、成本更低，组装流程更加简单高效。 | ||
| 搜索关键词： | 功率密度 散热 芯片 对称 堆叠 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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