[发明专利]四方相碲化亚铜及其合成方法有效
| 申请号： | 202111510313.8 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114182351B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张凯;戴永平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B25/02 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四方相碲化亚铜及相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法。所述方法包括：提供铜源、碲粉和衬底；将所述铜源、碲粉和衬底置于化学气相沉积反应腔室中，并通入输运气体；在660～690℃的生长温度下，于所述衬底上生成四方相二维碲化亚铜；或在700～800℃的生长温度下，于所述衬底上生成六方相二维碲化亚铜。本发明提供的相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法，采用化学气相沉积法通过对生长温度的调控能够调控合成物的物相，能够可控生长大尺寸的二维碲化亚铜单晶；并且该方法能够合成四方相碲化亚铜，该四方相结构为碲化亚铜的全新的原子相结构。 | ||
| 搜索关键词： | 四方 相碲化亚铜 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
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