[发明专利]一种增强型HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111513810.3 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203551A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈财;蔡勇;张宝顺;邓旭光;张丽;林文魁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构及其制备方法。所述制备方法包括：在第一半导体层上设置掩膜，以将所述第一半导体层表面的第一区域遮盖，并使所述第一半导体层表面的第二区域露出，所述第一区域包含与源极、漏极及栅极对应的区域；在所述第一半导体层上生长第二半导体层，并使第二半导体层至少覆盖所述第二区域，所述第一半导体层与第二半导体层配合形成异质结结构；去除所述掩膜，并在所述第一区域制作源极、漏极、栅极，且使所述源极、漏极分别与第二半导体层电性接触。本发明中所提供的制备方法避免了采用刻蚀工艺对器件性能造成的影响，制备而成HEMT器件结构阈值电压高、电子迁移率高、电流密度高、跨导大，且制备工艺简单、成本低廉、适用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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