[发明专利]一种增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构在审
| 申请号： | 202111513860.1 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203810A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;李岩松;陈勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加背面栅降低关断损耗的超高压IGBT结构，该结构在常规超高压IGBT结构的基础上，在背面增添栅极。在IGBT正向导通时，正面栅接高电压而背面栅不工作，器件工作在双极导电模式下，保持IGBT低导通压降的优点。当器件关断时，正面栅接低电压而背面栅接高电压开启，背面栅开启所形成的电子通路会抑制P型发射区的空穴注入，并为N型基区中载流子的抽取提供通路。达到抑制关断过程中的电流拖尾现象的效果，从而有效降低器件在关断过程中产生的损耗，为器件在超高压环境下工作提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 背面 降低 损耗 超高压 igbt 结构 | ||
【主权项】：
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