[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111520260.8 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114203870B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 黎国昌;徐志军;江汉;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 223865 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请示出一种LED外延结构及其制备方法和应用。LED外延结构包括:第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层；其中，第一多量子阱发光层的第一shoes层厚度设置为5埃至20埃；第一well层厚度设置为25埃至40埃，In组分设置为0％至3％；第一cap层厚度设置为5埃至20埃；第一Barrier层厚度设置为50至150埃，Si掺杂浓度设置为1e17至1e18，Al组分设置为10至20％；第二多量子阱发光层的第二shoes层厚度设置为5埃至20埃；第二well层厚度设置为25埃至40埃，In组分设置为4％至6％；第二cap层厚度设置为5埃至20埃；第二Barrier层厚度设置为50埃至150埃，Si掺杂浓度设置为1e17至1e18，Al组分设置为10％至20％。本申请示出的技术方案，能够解决365nm～375nm波段LED会发黄光的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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