[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111521603.2 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114038906A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 王启蒙 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括衬底；中间层设于衬底的上侧，中间层包括外延层和氧化层，中间层的上部形成有多个沟槽，多个沟槽包括多个位于终端区的终端区沟槽，各沟槽具有对应外延层的第一内壁，第一内壁上设有栅氧化层，栅氧化层限定出通道；多个第一多晶硅结构对应填充在多个通道内；第二多晶硅结构对应相邻两个第一多晶硅结构之间的区域设置，且各第二多晶硅结构的两端分别与两个第一多晶硅结构接触，以形成串联的多晶硅PN结，多晶硅PN结的击穿电压小于外延层的击穿电压。本发明通过串联的多晶硅PN结钳位终端区沟槽内的第一多晶硅结构的电位，从而使整个器件的击穿电压稳定，进而使器件的可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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