[发明专利]用于半导体工艺的气体混合装置及半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202111522231.5 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114210220A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 关帅;野沢俊久;吴凤丽 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B01F25/20 | 分类号： | B01F25/20;B01F23/10;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 110171 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种用于半导体工艺的气体混合装置，其从上游端至下游端依序包含：一窄孔，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端；一缓冲空间，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端，所述缓冲空间的上游端流体连接至所述窄孔的下游端，且所述缓冲空间的宽度大于所述窄孔的宽度；及一分流板，具有一上表面及一下表面，所述分流板的上表面及下表面之间形成有多个分流孔，所述多个分流孔流体连接至所述缓冲空间的下游端。其特征在于，所述分流板的上表面形成有一凹穴，且所述凹穴正对所述窄孔的下游端，借此使通过所述窄孔的气流撞击所述凹穴的壁而形成湍流。此外，本发明还提供了一种半导体工艺设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 工艺 气体 混合 装置 工艺设备 | ||
【主权项】：
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