[发明专利]一种反应腔设备在审
| 申请号： | 202111523715.1 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114203609A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 魏有雯;吴凤丽;汤雨竹 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陕芳芳 |
| 地址： | 110170 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请公开一种反应腔设备，其腔室内设有加工待加工件的加工位，包括同心设置的至少两个传送装置，所述传送装置均设有多个支撑部，所述加工位位于相邻两个所述传送装置之间；且相邻两个所述传送装置中，位于外侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部与位于内侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部组成一个支撑所述待加工件的支撑位，所有所述传送装置的所述支撑部均能够同心旋转。本申请中，反应腔设备的加工位分布于相邻两个传送装置之间，位于外侧的传送装置的支撑部，与位于内侧的传送装置的支撑部沿径向具有间距，这样支持待加工件的支撑部无需位于整个加热盘的上方，从而减少产生污染颗粒的概率，保障待加工件的加工品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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