[发明专利]一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 202111524463.4 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114214723B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张福生;胡国杰;肖龙飞;谢雪健;徐现刚;陈秀芳;彭燕;仲光磊;张家鑫 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B29/66 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂解成超高纯碳化硅单晶质颗粒粉料，然后进行氢钝化处理，用于制备准本征半绝缘碳化硅单晶材料。通过本发明方法，能够获得高质量半绝缘电学性能稳定的准本征碳化硅单晶体。本发明制备的准本征半绝缘碳化硅单晶可以更好地应用在5G通讯、相控阵雷达、毫米波探测等领域，使得器件的尺寸更小、功率密度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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