[发明专利]一种多芯片高密度互连封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202111525572.8 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114203691A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 侯峰泽;尤祥安;李君;王启东 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多芯片高密度互连封装结构，包括：第一封装体，包括：第一芯片；芯片焊盘，其在所述第一芯片的正面；绝缘层，其覆盖在所述第一芯片的上方；第一再布线层，其位于所述绝缘层中，与所述芯片焊盘电连接；基板介质层，其布置在所述第一封装体的四周；基板通孔，其贯穿所述基板介质层；第二再布线层，其布置在所述基板介质层的正面和背面以及所述第一封装体的背面；基板堆积层，其包裹所述第一封装体和所述基板介质层，所述基板堆积层包括上基板堆积层和下基板堆积层；盲孔，其位于所述上基板堆积层和下基板堆积层中；基板焊盘；凸点；以及一个或多个功能芯片。本发明还涉及一种多芯片高密度互连封装结构的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 高密度 互连 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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