[发明专利]可重构肖特基二极管在审
| 申请号： | 202111525672.0 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114141884A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张增星;盛喆;余睿 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可重构肖特基二极管，包括栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，所述栅介质层设置于所述栅电极层的一面，所述沟道层设置于所述栅介质层背向所述栅电极层的一面，且为双极性半导体，栅极电压能够控制沟道层在P型和N型之间连续变化，所述源电极设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为肖特基接触，所述漏电极设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为欧姆接触，进而使得栅极电压能够控制沟道层表现出金属P型半导体肖特基二极管的整流特性和金属N型半导体肖特基二极管的整流特性，实现了所述可重构肖特基二极管的可重构性。 | ||
| 搜索关键词： | 可重构肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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