[发明专利]多芯片封装结构在审
| 申请号： | 202111531351.1 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN116153874A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘译淇 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多芯片封装结构，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、导电件、绝缘接合层以及封装材料。第一半导体芯片为倒晶配置且具有第一表面与第二表面，第一表面具有第一电极，第二表面具有第二电极与第三电极，第一表面上具有背金属层电连接第一电极。第二半导体芯片包括第二金氧半导体组件，且具有第三表面，第三表面具有第四电极。导电件配置于背金属层上，电连接背金属层与第四电极。部分的背金属层不被导电件覆盖从而形成多个暴露部。绝缘接合层设置于至少部分的暴露部上。封装材料覆盖绝缘接合层及至少部分的导电件。本发明可减少分层现象，让多芯片封装结构具有更好的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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