[发明专利]一种晶圆水平缓存装置在审
| 申请号： | 202111533301.7 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113990783A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 许振杰;肖莹;孙传恽;郑树茂 | 申请（专利权）人： | 华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300350 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆水平缓存装置，所述晶圆水平缓存装置包括支撑架和检测组件，所述支撑架用于水平支撑晶圆，所述检测组件设置于固定架，所述固定架位于水平支撑晶圆的两侧；所述检测组件包括信号收发部和匹配设置的反射部，其安装于所述固定架，所述信号收发部输出的光学信号朝向所述反射部发射，所述反射部将光学信号反射至所述信号收发部；所述检测组件根据所述信号收发部的接收的光学信号判定所述支撑架是否放置晶圆；所述检测组件还包括遮光板，其罩设于所述反射部的侧部；所述遮光板的表面配置有非镜面结构，以防止所述信号收发部发射的光线反射而干扰检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水平 缓存 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
