[发明专利]一种像素电荷转移效率测试结构与时序在审
| 申请号： | 202111534022.2 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114222079A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 龚雨琛;陈杰;旷章曲;陈多金;王菁;董建新;高峰 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/355 | 分类号： | H04N5/355;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种像素电荷转移效率测试结构，像素在p型衬底100的基础上，用N型离子注入形成PPD101感光区域，用于减小暗电流噪声的p+掺杂104位于PPD表面；N型掺杂的浮置扩散节点FD105和存储节点SD103分别位于一个P阱102中。第一传输栅107栅极接TG1信号，源极为PPD，漏极为FD节点；第二传输栅108栅极接TG2信号，源极为PPD；第二传输栅108堆叠在第三传输栅109上方。第二传输栅108与PPD101的交叠大于第一传输栅107与PPD101的交叠程度，第三传输栅109与SD节点103的交叠程度大于第一传输栅107与FD节点105的交叠程度。通过在测试像素中额外引入更益于传输的结构，增加的堆叠栅极与存储节点结构的设计无需过于拘束于转换增益的限制用于转移拖尾电子，以更为客观准确地评估像素的电荷转移效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 电荷 转移 效率 测试 结构 时序 | ||
【主权项】：
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