[发明专利]一种利用化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种利用化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜的方法，涉及纳米材料制备技术领域，包括以下步骤；对衬底清洗、氮气烘干；配置piranha溶液，并将衬底放入其中1h，再将衬底取出烘干待用；将盛有硫粉末和三氧化钼粉末的两个石英舟放入石英试管内，再将石英试管放入至管式炉中，将衬底放置于盛有三氧化钼粉末的石英舟上，将氯化钾放于衬底与硫粉末之间；升温管式炉，硫粉末升华后与气相三氧化钼发生反应，即可在衬底上生成二硫化钼薄膜；具备了通过将石英舟放入石英试管内，石英试管的存在增大了硫蒸气的浓度和蒸气压，并且保证了其浓度和蒸气压的稳定性，并通过配置piranha溶液彻底去除衬底表面的杂质的效果。