[发明专利]用于电源管理系统的VDMOS功率芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111535434.8 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114242775A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 顾岚雁;林河北;梅小杰;解维虎;覃尚育 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于电源管理系统的VDMOS功率芯片包括衬底、外延层、外延层内的第一沟槽、第一沟槽内的第一氧化硅层、第一沟槽底部的第一多晶硅层及依次交错的第二多晶硅层和第三多晶硅层，贯穿第一沟槽的第二沟槽和第二氧化硅层、第三氧化硅层，位于第三氧化硅层上自外延层延伸至第二沟槽内第四多晶硅层及位于第三氧化硅层之间的开口、外延层内的第一注入区和第二注入区，形成在外延层上的第一介质层、位于开口两侧第二介质层，第一介质层和第二介质层之间的第一接触孔、第二介质层之间的第二接触孔，第一接触孔内的第一金属层、第二接触孔内的第二金属层、第三金属层及第四金属层，栅极保护和保护电极位于芯片侧面，提高器件工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电源 管理 系统 vdmos 功率 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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