[发明专利]宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法、太阳能电池

摘要

本发明提供了一种宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法，所述宽禁带铜镓硒光吸收层包括铜镓硒薄膜层和覆设于铜镓硒薄膜层上的铟镓薄膜层，铜镓硒薄膜层和铟镓薄膜层的界面经由退火工艺形成有InCu反位缺陷。其制备方法包括：将基底加热至第一温度，在基底上共蒸镓和硒；提高基底的温度至第二温度，在基底上共蒸铜和硒；保持基底的温度为第二温度，在基底上共蒸铟、镓和硒；保持基底的温度为第二温度，在硒气氛下对基底进行退火处理，制备获得宽禁带铜镓硒光吸收层。本发明还提供了包括所述宽禁带铜镓硒光吸收层的太阳能电池。本发明提供的宽禁带铜镓硒光吸收层在具备宽禁带的基础上又能获得更高效率太阳能电池，可以更好地适用于叠层太阳能电池。