[发明专利]高压LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111541450.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114242649A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨新杰;朱兆强;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LDMOS器件的制备方法，包括：在衬底的第二沟槽中采用热氧化炉管工艺形成隔离层；刻蚀去除部分厚度的衬底和所述隔离层的顶端位置以形成第三沟槽，同时以第三沟槽和隔离层为隔离界限定义出衬底中的有源区区域；最后在所述隔离层顶端的第三沟槽中形成介质层。本发明还提供一种高压LDMOS器件。本申请通过调整定义有源区、形成浅沟槽隔离结构和形成深沟槽隔离层的顺序，先在深沟槽(第二沟槽)中形成隔离层，再定义衬底中的有源区区域，最后形成介质层(浅沟槽隔离结构)，可以避免在高温热氧化形成所述隔离层时，与浅沟槽隔离结构的交界的有源区区域被误氧化的情况，提高了器件的隔离耐压性能，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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