[发明专利]利用纳米、微气泡诱导成垢物质液相成核的抑制电极表面结垢的方法有效
| 申请号： | 202111544561.4 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114105320B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 于洪涛;康文达 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C02F5/00 | 分类号： | C02F5/00;C02F1/46;C02F1/461;C02F1/24;C02F9/06;C02F101/10 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 苗青 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于水处理技术领域，公开了一种利用纳米、微气泡诱导成垢物质液相成核的抑制电极表面结垢的方法，该方法包括：具有连续多通道及纳米尖端覆盖表面的电极构建；产生纳米、微气泡的尺寸调控；成垢物质在液相成核的控制。通过在具有纳米尖端结构的多通道阴极上外加恒定电流电压产生纳米、微气泡，纳米、微气泡发挥双重作用，既可以作为垢的成核位点又是垢的运输载体，然后形成含有水垢颗粒的气液固混合相汇集到液相表层，并随着溶液的流动垢的混合相与溶液分离。本方法首次发现了电化学过程中气泡成核的原理，实现了电化学技术软化水过程中电极的抗结垢功能，保证电化学反应连续进行。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 气泡 诱导 物质 相成 抑制 电极 表面 结垢 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111544561.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
