[发明专利]钙钛矿单晶的生长方法及装置有效
| 申请号： | 202111545973.X | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114197044B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杨亚洲;刘陶然;陈丹;叶正澜;李嘉仪;左玉华;郑军;刘智;成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B29/54;C30B7/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种钙钛矿单晶的生长方法，包括：将装有钙钛矿前驱体溶液的第一容器置于装有反溶剂的第二容器中，第二容器中的反溶剂蒸汽向第一容器扩散；向前第一容器、第二容器分别持续注入钙钛矿前驱体溶液、反溶剂；通过控制钙钛矿前驱体溶液、反溶剂的注入速率，使得第一容器中的钙钛矿前驱体溶液的过饱和度维持恒定；在过饱和度维持恒定条件下进行钙钛矿单晶的生长。本公开的方法能够精准地控制晶体生长的环境，得到高质量大尺寸钙钛矿单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿单晶 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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