[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111546517.7 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114388618A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 姚国亮;邹华;刘建平;张邵华;吴建兴 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的外延层；位于外延层中的第一介质槽和第二介质槽，第一介质槽和第二介质槽内填充有第一介质层；位于第一介质槽内的栅氧化层、控制栅和屏蔽栅；位于第一介质槽和第二介质槽两侧的源区和漏区；其中，控制栅由外延层表面延伸至第一介质槽上部，屏蔽栅由外延层表面延伸至第一介质槽下部，栅氧化层将控制栅和屏蔽栅、控制栅和外延层隔开。本发明采用两个介质槽的结构使漂移区的形貌不再是直线，而形成折线(V型或凹型)形貌的漂移区，可以增加漂移区的有效长度，在同样的击穿电压下实现更小的特征导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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