[发明专利]金刚石半导体系统及方法在审
| 申请号： | 202111546963.8 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN114420747A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 亚当·卡恩 | 申请（专利权）人： | 阿克汗技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/868;H01L21/22;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;陆建萍 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及金刚石半导体系统及方法。在此披露了一种用于制造金刚石半导体的新型且改良的系统以及方法。该系统可包括具有n型供体原子(306)和金刚石晶格(304)的一种金刚石材料(200)，其中在100kPa和300K，这些供体原子(306)的0.16％将迁移率大于770cm2/Vs的传导电子提供至该金刚石晶格(304)。制造金刚石半导体的方法(100)可包括以下步骤：选择一种具有金刚石晶格(304)的金刚石材料(200)；将最小量受体掺杂原子引入至该金刚石晶格(304)中，以建立离子轨道；将置换掺杂原子通过这些离子轨道引入至该金刚石晶格(304)中；并且退火该金刚石晶格(304)。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 半导体 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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