[发明专利]一种硼10-LBO晶体的生长方法在审
| 申请号： | 202111547882.X | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114262933A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 谭云东;张婷婷;杜曰强;方治文;陈立功 | 申请（专利权）人： | 山东重山光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/22;G01T3/06 |
| 代理公司： | 山东舜源联合知识产权代理有限公司 37359 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 255138 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硼10‑LBO晶体的生长方法，属于晶体制备的技术领域。本发明以碳酸锂和硼‑10酸为原料，三氧化钼和三氧化钨为助熔剂，在晶体生长炉中加热熔解后，加入籽晶，经过降温生长获得硼10‑LBO晶体。本发明解决了硼10‑LBO晶体容易开裂的问题，原因是采用氧化钼‑氧化钨为新型的助熔剂时，熔体粘度较小，便于物料流动和传质，生长出高质量的硼10‑LBO晶体且不易开裂。使用本发明的晶体生长方法获得的硼10‑LBO晶体，可以作为中子探测用晶体材料，解决目前中子散射探测器的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 10 lbo 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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