[发明专利]多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法在审
| 申请号： | 202111548615.4 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114724935A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 白种埈;徐宗吾 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/203;H01L21/316;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/268;H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 全振永;姜长星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法。一种多晶硅层的制造方法包括如下步骤：在基板上形成非晶硅层；对所述非晶硅层掺杂杂质；利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层；利用添加有氢的去离子水冲洗所述非晶硅层；以及向所述非晶硅层照射激光束而形成多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
