[发明专利]大尺寸碳化硅籽晶的生长方法、对应单晶的生长方法在审
| 申请号： | 202111551668.1 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114262935A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王明华;朱鑫煌;蒋琳;张振远 | 申请（专利权）人： | 杭州乾晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/06 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶体生长领域，提供了一种大尺寸碳化硅籽晶的生长方法、大尺寸碳化硅单晶的生长方法，通过对晶面相同的多片小尺寸碳化硅单晶片沿特定晶向切割形成扇环状碳化硅单晶片，将所述多块扇环状碳化硅单晶片围绕在无定位边的小尺寸碳化硅单晶片按照相同的空间结晶取向进行拼接并固定，形成大尺寸的碳化硅拼接籽晶片，并通过一次或多次籽晶拼接缝闭合生长工艺直到拼接缝完全闭合，形成大尺寸碳化硅籽晶，解决了现有获得不了大尺寸碳化硅籽晶的难题，且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 碳化硅 籽晶 生长 方法 对应 | ||
【主权项】：
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