[发明专利]芯片设计版图结构及大尺寸芯片光刻拼接精度的监控方法在审
| 申请号： | 202111553701.4 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114256208A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李梦 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02;H01L21/67;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片设计版图结构及大尺寸芯片光刻拼接精度的监控方法，该结构包括：多个拼接模块，所述多个拼接模块包括目标拼接模块，所述目标拼接模块的四周均需要与相邻的拼接模块进行拼接，所述每个拼接模块小于或等于光刻机的最大曝光视场；遮光带，设置在所述目标拼接模块四周的拼接位置；测量标记，分别位于所述目标拼接模块的空闲区域，所述空闲区域为不作为有效输出数据的区域；切割道，位于所述目标拼接模块中除了所述拼接位置之外的边缘位置。利用空闲区域上放置的测量标记的套刻测量结果来监测和补偿光刻拼接精度，能够提高光刻工艺的拼接精度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 设计 版图 结构 尺寸 光刻 拼接 精度 监控 方法 | ||
【主权项】：
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