[发明专利]一种以多氟取代吡咯-[3,2-b]吡咯为核心的空穴传输材料的合成方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202111553796.X 申请日: 2021-12-17
公开(公告)号: CN114276353B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 陈承;王碧怡;程明;王豪鑫 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C07D487/04 分类号: C07D487/04;H10K50/15;H10K85/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于有机功能材料技术领域,具体公开了一种以多氟取代吡咯‑[3,2‑b]吡咯为核心的空穴传输材料的合成方法及其应用,具体在钙钛矿太阳能电池上的应用。该空穴传输材料以吡咯‑[3,2‑b]吡咯为核心结构,在N位引入氟取代苯,同时两端连接N,N‑二甲氧基苯胺。该类空穴传输材料具有高热稳定性、低合成成本、高空穴迁移率及高导电等特点。本发明开创了一类新型核心且具有广阔应用前景的以多氟取代吡咯‑[3,2‑b]吡咯为核心的空穴传输材料,在空穴传输材料方面为制备高效稳定的钙钛矿太阳能电池提供了新的选择。
搜索关键词: 一种 取代 吡咯 核心 空穴 传输 材料 合成 方法 及其 应用
【主权项】:
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