[发明专利]异质半导体纳米粒子及制备摩擦起电薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 202111556887.9 申请日: 2021-12-18
公开(公告)号: CN114249296A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 高玲肖;胡宁;代克杰;翟磊 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: B82Y40/00 分类号: B82Y40/00;H02N1/04;C01G3/02;C01G23/047;B82Y30/00
代理公司: 郑州芝麻知识产权代理事务所(普通合伙) 41173 代理人: 张海青
地址: 300401*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种异质半导体纳米粒子及制备摩擦起电薄膜的方法,该异质半导体纳米粒子的制备方法为:将醋酸铜粉末溶于无水乙醇中,再加入TiO2粉末,经分散﹑搅拌﹑脱泡,得到悬浮液A,将其加热,再加入葡萄糖溶液﹑NaOH溶液,得到悬浮液B;用离心干燥器对悬浮液B干燥,得到沉淀物,再用无水乙醇洗涤该沉淀物,最后干燥;制备摩擦起电薄膜的方法为:将异质半导体纳米粒子添加到液态的聚二甲基硅氧烷中,再与固化剂混合,得到B组分;再次称取聚二甲基硅氧烷,加入固化剂,得到C组分;先将C组分旋涂于电极表面,再将B组分旋涂在C组分表面,最后干燥处理;本发明实现了摩擦起电薄膜表面电荷密度的宽光谱调控,提高了其介电性能。
搜索关键词: 半导体 纳米 粒子 制备 摩擦 起电 薄膜 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111556887.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top