[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 202111560189.6 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN116314324A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨宗祐;李信宏;曹瑞哲;张哲华 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括半导体基底、栅极结构、第一漂移区、第一源极/漏极区与栅极氧化物层。栅极结构与栅极氧化物层设置在半导体基底上。第一漂移区设置在半导体基底中。第一源极/漏极区设置在第一漂移区中。栅极氧化物层的第一部分的至少一部分在垂直方向上设置在栅极结构与半导体基底之间。栅极氧化物层的第二部分在水平方向上设置在第一部分与第一源极/漏极区之间。第二部分包括底部向下延伸与第一凹陷上表面位于底部之上。第一漂移区的一部分位于栅极氧化物层的第一部分与第二部分的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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