[发明专利]一种防止芯片表面氧化的制备方法在审
申请号: | 202111562140.4 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114203603A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 周武 | 申请(专利权)人: | 广东坤昇半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 绍兴上虞鸿鸣知识产权代理事务所(普通合伙) 33363 | 代理人: | 刘鹏 |
地址: | 523406 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种防止芯片表面氧化的制备方法,涉及芯片技术领域。该基于一种防止芯片表面氧化的制备方法提出的装置,包括箱体,所述箱体的前端面四周均贯穿设置有放置槽,所述放置槽的内部上端设置有湿度传感器,所述放置槽的内部两侧均设置有L型支撑块,所述L型支撑块设置有多组且等间距排列,所述L型支撑块之间设置有镂空架,所述镂空架的内部设置有保护盒,所述保护盒的内部设置有芯片主体,所述箱体的两侧均设置有保护罩,所述保护罩的内部设置有氮气输送装置,所述氮气输送装置的上下端且相对放置槽的内部设置有导管,所述导管处设置有控制阀,所述箱体的下端两侧均设置有移动结构。可有效来进行对芯片表面防氧化使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 芯片 表面 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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