[发明专利]一种碳化硅粉料的合成方法在审
| 申请号： | 202111563587.3 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114014318A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈豆;李坚;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅粉料的合成方法，包括如下步骤：将碳粉和硅粉混合后再向所述的碳粉和硅粉的混合料中加入聚碳硅烷纤维，以混合得到原料；以及将所述的原料置于加热炉中进行经至少二次加热，得到所述的碳化硅粉料。本发明提供了一种碳化硅粉料的合成方法，该方法所得到的碳化硅粉料具有颗粒大、纯度高、半绝缘晶体电学性能佳的优点，且聚合物聚碳硅烷在受热时发生分解，降低与C竞位的元素N的含量，提高原料纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 合成 方法 | ||
【主权项】：
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