[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111564245.3 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114220863A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张敬伟;贺锋;李天运 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王娇娇 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面上的第一外延层；设置于所述第一外延层背离所述半导体衬底一侧表面的第二外延层，所述第二外延层具有刻蚀凹槽；设置于所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面以及所述刻蚀凹槽内的第三外延层；设置于所述第三外延层背离所述第二外延层一侧表面内的阱区；其中，所述第一外延层的掺杂浓度等于所述第三外延层的掺杂浓度，所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层或所述第三外延层的掺杂浓度。应用本发明技术方案，可以有效提高导通电流能力，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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