[发明专利]一种用真空磁控溅射生产的硅碳薄膜负极材料及制备方法在审
| 申请号： | 202111565010.6 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114231927A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 肖云辉;肖云亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市福容科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于电池负极材料制备技术领域，尤其涉及一种用真空磁控溅射生产的硅碳薄膜负极材料及其制备方法。具体制备方法为，在真空室中进行，包括以下步骤：1)使用离子束对负极材料基材表面的杂质、氧化膜和表面夹杂物进行等离子体清洗；2)在步骤1)清洗后的表面上，以高纯度石墨为磁控管靶材，在真空中用第一磁控溅射涂覆第一层碳薄膜；3)以N型硅靶为磁控管靶材，在真空中用第二磁控溅射涂覆第二层硅薄膜；4)以高纯度石墨为磁控管靶材，在真空中用第三磁控溅射涂覆第三层碳薄膜，获得硅碳薄膜负极材料。按照上述方法制造的硅碳薄膜负极材料可以得到最小的接触电阻值，且获得的电流集流体具有较高的抗化学腐蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 磁控溅射 生产 薄膜 负极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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