[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111566605.3 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114284208A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 史航;谢岩 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一表面开设有第一沟槽的基底，第一沟槽中填充的第一金属层的表面低于基底的表面；形成第一介质层覆盖于基底表面和第一金属层表面，第一金属层上第一介质层中形成第二沟槽；形成第二介质层，至少填满第二沟槽；去除第二介质层和第一介质层，去除过程中第一介质层的第二表面位于一临时界面，临时界面远离第一介质层的第一表面一侧保留部分厚度第二介质层，去除保留的部分厚度第二介质层后去除第一金属层上的介质层，以形成暴露出第一金属层和第一沟槽外围基底的第三沟槽。本发明的技术方案能够避免产生带电的金属球附着在半导体器件表面，从而提升半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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