[发明专利]一种改善EMI的超结结构及制造方法在审
| 申请号： | 202111577977.6 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114464533A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 肖晓军;胡丹丹 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善EMI的超结结构及制造方法，在N+衬底上交替生长外延层N‑和外延层N‑2；在N‑外延表面，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，进行CMP工艺，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区，淀积场氧层成并回刻，形成器件的栅结构；注入As并退火形成器件的源极N‑source；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明通过器件外延结构的优化，改善了器件的C‑V特性，使EMI性能得以改善，同时减小了器件的特征导通电阻，降低器件的导通损耗，提升了器件效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 emi 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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